当两种不同的金属或半导体材料接触时,一个看似微不足道的物理现象——塞贝克效应(Seebeck effect),为我们揭示材料内部的秘密提供了一把独特的钥匙。这一效应的核心在于,当材料两端的接触点存在温差时,一个微弱的电位差,即温差电动势,便会在闭合回路中产生。这种电动势的大小,直接与构成回路的材料化学成分、表面金相组织以及接点温度紧密相关。在无损检测(NDT)领域,正是对这种接触温差电压的精确捕捉与解读,使得温差电方法在金属分选、质量评估、镀层测厚乃至微观组织分析中占据了一席之地。
从物理学角度看,任何两种不同金属接触时,其界面两侧都会因电子逸出功的不同而形成“接触电动势”。表1列出了几种常见金属相对于铂(Pt)的接触电动势。若将表中的任意两种金属构成回路,其产生的电动势约等于两者数值之差。
表1 铂与部分金属的接触电动势参考值
金属 | Pt | Ag | Cu | Fe | Sn | Zn | Al | Mg |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
电动势/V | 0 | 0.05 | 0.10 | 0.24 | 0.32 | 0.64 | 1.04 | 1.47 |
接触电动势本身与接触面积无关,但对温度敏感。利用这一特性,将两种金属构成一个闭合回路,并使其两个接点处于不同温度,回路中便会产生一个稳定的电位差,如图1所示,这便是塞贝克效应的直观体现。
图1 塞贝克效应原理示意图
这种由温差驱动的电动势,其信号大小是材料内在属性的函数。有趣的是,即便化学成分完全相同的材料,在经历不同的加工处理后,也能形成有效的温差电偶。例如,经过退火处理的铜与经过冷加工的铜,两者接触时就能构成一个相当灵敏的温差电偶。这暗示了温差电方法探测材料微观结构差异的巨大潜力。
然而,所有温差电检测应用都建立在一个基本前提之上:**基于与标准件的比较来进行。**如果不能充分理解并测量标准件与待测试件在材料或性能上的所有关键关联,那么检测结果将失去其指导意义。
在工业生产中,材料混料是一个常见的质量问题。温差电分选正是通过将被检工件与已知的标准件进行比较,来快速识别材料牌号。操作时,需要针对所有可能混入的材料类型准备相应的样品,通过优化电极材料和接点温度,确保不同材料能够产生可明确区分的温差电信号。当信号出现重叠或结果存疑时,可以更换电极材料进行二次分选,或结合涡流、磁导率等其他无损检测方法进行交叉验证。
测量模式分为两种:
为了确保分选的准确性,现场操作需遵循一套严谨的规程:
值得一提的是,温差电法与涡流法在某些应用中表现出很强的互补性。一个典型的例子是,对于退火钢,碳含量的差异用涡流法很容易鉴别,而硅含量的差异则用温差电法更为敏感。因此,在分选碳含量相同但硅含量不同的钢种,或对脱氧程度不同的钢(如镇静钢与非镇静钢)进行鉴别时,温差电法尤为有效。
钢与合金的性能很大程度上取决于其内部的相组成与微观组织,而这些组织结构往往对热处理工艺极为敏感。当热处理导致材料内部相的成分改变,或者不同相的温差电性能存在显著差异时,温差电测量便可用于质量评定。例如,可以根据钢中不同组织组分的温差电压特性建立一个序列(如表2所示),通过微型温差电探头进行微区测量,从而判断热处理效果。
表2 钢与铁中主要组织组分的温差电压序列 (参考温度50°C)
组织组分 | 石墨 | 残余奥氏体 | 渗碳体 | 马氏体 | 珠光体 | 铁素体 |
---|---|---|---|---|---|---|
e/(μV/K) | -1.6 | -1.6 | +1.4 | -0.6~6.6 | +4.7 | (+5.5)~(+9.2) |
C(%) | — | — | — | 1.3~0.8 | — | 0.2~0.08 |
这种方法的应用相当广泛。例如,可以探测出因过热而在喷气飞机机身上形成的软化区,因为沉淀硬化轻合金的温差电性能在时效前后有明显不同。对于金属间化合物,成分偏离理想配比也会引起温差电压的剧烈变化,这在超导材料研究中尤为常见。在半导体领域,即便化学成分完全相同,也可以利用接触温差电压轻松区分出材料是N型(电子导电)还是P型(空穴导电)。
温差电方法擅长探测材料的非均匀性,如成分偏析、软点、脱碳等,但在探测宏观几何缺陷方面则无能为力。它无法用于发现裂纹、微孔或其他空穴类缺陷。
对于钢基体上的镍镀层,温差电法可以实现高精度的厚度测量。其原理如图2所示,当热探头接触镀层表面时,会在探头-镀层界面(产生温差电压 E23)和镀层-基体界面(产生温差电压 E12)之间形成一个温度梯度。
图2 镀层厚度的温差电测量模型
1—基体金属; 2—镀层; 3—探头; 4—测量仪导线; t1—探头与镀层接触温度; t2—镀层与基体界面温度; t3—探头冷端温度; t0—试样初始温度
总的温差电压是这两个电压的叠加。理论与实验均表明,总电压值与镀层厚度存在明确的函数关系。通过测量镀层厚度为零(即直接测量基体,电压为 E13)和镀层极厚(电压为 E23)的极限情况,可以构建出一条如图3所示的校准曲线。
图3 总温差电压与镀层厚度的关系曲线
E13—基体与探头间的温差电压; E12—基体与镀层间的温差电压; E23—镀层与探头材料间的温差电压
不过,该方法也存在局限。由于接触区域的温度梯度极大,可测量的最大镀层厚度有限,通常在50-100μm范围内,具体取决于探头端头的半径和温度。尽管如此,在适用范围内,对镍镀层厚度的测量标准偏差可控制在 ±1μm 以下,精度相当高。
需要警惕的是,镀液成分对测量结果影响巨大。研究表明,镀液中的抛光剂添加剂就可能引起高达 14μV/°C 的温差电压变化,而不同槽液配方的差异导致的变化甚至可达 20μV/°C。这使得温差电法几乎无法用于测量化学镀镍层的厚度,因为其工艺过程中的变量太多。
将一根端头直径仅为5μm的加热钨针集成到显微硬度计的定位装置中,就可以实现对材料微观组织组分的温差性能进行“定点”测量。这种微区分析技术除了能鉴别前述的钢中各相,还可用于其他合金和表面镀层的精细表征。
一个极佳的应用案例是阐明氧化皮的相成分。图4展示了工业纯铁在950°C空气中氧化后形成的氧化皮断面。该氧化皮结构复杂,由外向内依次为三氧化二铁(Fe2O3)层、初生四氧化三铁(Fe3O4)层和沉淀Fe3O4层。
图4 工业纯铁在950°C空气中形成的氧化皮断面
3-A—沉淀Fe3O4; 3-P—初生Fe3O4; 4—Fe2O3
图5则将显微硬度值与相应的微区温差电压值进行了对比。尽管氧化层存在孔隙,导致显微硬度数据分散较大,但温差电压的测量值却非常稳定,分散性很小。更重要的是,它能清晰地区分出不同性质的氧化物相:沉淀Fe3O4层(N型半导体)呈现出负的温差电压,而初生Fe3O4层(P型半导体)则呈现正的温差电压,两者特征鲜明,一目了然。
图5 工业纯铁氧化皮的显微硬度(H)与微区温差电压(ex/w)关系
这种微区分析能力对于理解材料的氧化机理、腐蚀行为以及表面改性层的质量控制至关重要。然而,要获得可靠的微区分析结果,对探针的精确定位、温度的稳定控制以及信号的微弱提取都有着极高的要求。这正是专业检测实验室的核心价值所在。
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对于夹杂物的分析,温差电法则不太适用,因为夹杂物的导电性(非导电、半导电)和热电性能变化多样,难以建立统一的评判标准。